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直拉重掺硅片

采用CZ法拉制高纯度的单晶晶体,并按客户要求加工成不同类型的晶圆片 

所属分类:

关键词:

半导体硅材料


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产品详情

产品描述

采用CZ法拉制高纯度的单晶晶体,并按客户要求加工成不同类型的晶圆片 

产品用途

主要用做EPI衬底,适用于Power IC、MOSFET、IGBT、等产品

技术参数
参数规格 76.2mm 100mm 125mm 150mm
型号 P,N P,N P,N P,N
晶向 <100>/<111> <100>/<111> <100>/<111> <100>/<111>
电阻率
(Ω-cm)
B/P 0.002~0.1 0.002~0.1 0.002~0.1 0.002~0.1
N/As 0.001~0.005 0.001~0.005 0.001~0.005 0.001~0.005
N/Sb 0.007~0.025 0.007~0.025 0.007~0.025 0.007~0.025
N/P 0.0008-0.1 0.0008-0.1 0.0008-0.1 0.0008-0.1
N/RP       0.0007~0.0018
厚度(um 300/400/525 300/400/525 300/400/525 625/675
腐蚀工艺 酸/碱腐蚀 酸/碱腐蚀 酸/碱腐蚀 酸/碱腐蚀
正表面 抛光 抛光 抛光 抛光
背表面     喷砂,背封 喷砂,背封
几何参数 TTV(um) ≤5 ≤5 ≤5 ≤5
Bow(um) ≤30 ≤40 ≤30 ≤40
Warp(um) ≤30 ≤30 ≤30 ≤30
STIR(um) ≤2.0(15*15) ≤2(15*15) ≤2.0(15*15) ≤2(15*15)
表面金属 K、Na、Ca、Al
(Atoms/cm2)
<3.00E+10 <3.00E+10 <3.00E+10 <3.00E+10
Fe、Ni、Cu、Cr、Zn
(Atoms/cm2)
<5.00E+10 <5.00E+10 <5.00E+10 <5.00E+10

关键词:

关键词:硅片

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