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FZ-NTD硅磨片

中子嬗变掺杂要求的高纯,高寿命,高阻值和均匀性好的原生区熔硅单晶.

所属分类:

关键词:

半导体硅材料


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产品详情

产品描述

中子嬗变掺杂要求的高纯,高寿命,高阻值和均匀性好的原生区熔硅单晶.

产品用途

普通晶闸管SCR、电力晶体管GTR、GTO,而绝缘栅双极晶体管IGBT以及光电子器件等

参数规格 20-95mm 100mm 125mm 150mm
型号 N N N N
晶向 <100>/<111> <100>/<111> <100>/<111> <100>/<111>
电阻率(Ω-cm) N 1-500 1-500 1-500 1-500
厚度(um) 根据客户定制 根据客户定制 根据客户定制 根据客户定制
几何参数 TTV(um) ≤5 ≤5 ≤5 ≤5
Bow(um) ≤30 ≤40 ≤30 ≤40
RRV <8% <8% <8% <8%
Warp
(um)
≤30 ≤30 ≤30 ≤30
STIR
(um)
≤2.0(15*15) ≤2(15*15) ≤2.0(15*15) ≤2(15*15)

关键词:

关键词:硅片

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