制造SOI晶圆的三种主要技术

2024-04-24

即绝缘体上硅,在绝缘衬底上异质外延硅获得的外延材料,衬底绝缘制作的电路采用介质隔离,因而具有寄生电容小、短沟道效应小、继承密度高、速度快、抗辐射能力强等优点。
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