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产品详情
产品描述
采用CZ法拉制高纯度的单晶晶体，并按客户要求加工成不同类型的晶圆片
产品用途
主要用做EPI衬底，适用于Power IC、MOSFET、IGBT、等产品
| 技术参数 | |||||||
| 参数规格 | 76.2mm | 100mm | 125mm | 150mm | |||
| 型号 | P,N | P,N | P,N | P,N | |||
| 晶向 | <100>/<111> | <100>/<111> | <100>/<111> | <100>/<111> | |||
| 电阻率 (Ω-cm) |
B/P | 0.002～0.1 | 0.002～0.1 | 0.002～0.1 | 0.002～0.1 | ||
| N/As | 0.001～0.005 | 0.001～0.005 | 0.001～0.005 | 0.001～0.005 | |||
| N/Sb | 0.007～0.025 | 0.007～0.025 | 0.007～0.025 | 0.007～0.025 | |||
| N/P | 0.0008-0.1 | 0.0008-0.1 | 0.0008-0.1 | 0.0008-0.1 | |||
| N/RP | 0.0007~0.0018 | ||||||
| 厚度(um | 300/400/525 | 300/400/525 | 300/400/525 | 625/675 | |||
| 腐蚀工艺 | 酸/碱腐蚀 | 酸/碱腐蚀 | 酸/碱腐蚀 | 酸/碱腐蚀 | |||
| 正表面 | 抛光 | 抛光 | 抛光 | 抛光 | |||
| 背表面 | 喷砂，背封 | 喷砂，背封 | |||||
| 几何参数 | TTV(um) | ≤5 | ≤5 | ≤5 | ≤5 | ||
| Bow(um) | ≤30 | ≤40 | ≤30 | ≤40 | |||
| Warp(um) | ≤30 | ≤30 | ≤30 | ≤30 | |||
| STIR(um) | ≤2.0(15*15) | ≤2(15*15) | ≤2.0(15*15) | ≤2(15*15) | |||
| 表面金属 | K、Na、Ca、Al (Atoms/cm2) |
<3.00E+10 | <3.00E+10 | <3.00E+10 | <3.00E+10 | ||
| Fe、Ni、Cu、Cr、Zn (Atoms/cm2) |
<5.00E+10 | <5.00E+10 | <5.00E+10 | <5.00E+10 | |||
关键词：
关键词：硅片
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